[发明专利]电镀液与其电镀方法无效
| 申请号： | 200610076289.0 | 申请日： | 2006-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN1865516A | 公开（公告）日： | 2006-11-22 |
| 发明（设计）人： | 石健学;苏鸿文 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | C25D3/02 | 分类号： | C25D3/02;C25D3/38 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及电镀液与其电镀方法，涉及将铜或其他金属电镀至半导体基板的电镀液以及电镀方法，特别涉及该电镀液的含氮整平剂。本发明提供一种电镀方法，其包括：a)提供一电镀液，包括一金属离子，一酸性电解液以及一浓度介于5.0到10.0mg/L的含氮整平剂；b)将一基底浸入该电镀液；以及c)电镀一金属层于该基底。本发明还提供一种电镀液，其包含一金属离子，一酸性电解液以及一浓度介于5.0到10.0mg/L的含氮整平剂。该含氮整平剂的分子量介于31到1000之间，浓度介于5到10mg/L。该电镀液与电镀方法所形成的铜内连线其表面平滑，较无凹凸。 | ||
| 搜索关键词： | 电镀 与其 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电镀方法，其特征在于，该方法包括：a)提供一电镀液，包括一金属离子，一酸性电解液以及一浓度介于5.0到10.0mg/L的含氮整平剂；b)将一基底浸入该电镀液；以及c)电镀一金属层于该基底。
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