[发明专利]一种TFT LCD阵列基板及其制造方法有效
申请号: | 200610074457.2 | 申请日: | 2006-04-21 |
公开(公告)号: | CN101060123A | 公开(公告)日: | 2007-10-24 |
发明(设计)人: | 邓朝勇;林承武 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/52;H01L21/84;H01L21/768;G02F1/136;G02F1/1345 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人: | 刘芳 |
地址: | 100016*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种TFT LCD阵列基板,包括玻璃基板、形成于玻璃基板上的栅线和栅电极、形成于栅电极上的绝缘介质层、半导体层和欧姆接触层、透明像素电极、源漏电极、数据线、及钝化层,欧姆接触层由微晶硅材料构成,并与其上方透明像素电极欧姆接触;源漏电极形成于透明像素电极的上方。本发明同时也公开了相应的制造方法。本发明将5次光刻技术中的源漏电极光刻和像素电极层光刻合并在一个光刻中完成,与原有的5次光刻技术相比减少了一个光刻工艺即减少了一次曝光过程,提高了生产效率。同时还可将像素层和源漏电极层在同一台磁控溅射设备中进行连续沉积,从而提高了磁控溅射设备的利用率和降低工艺时间,达到提高产能和降低生产成本的目的。 | ||
搜索关键词: | 一种 tft lcd 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种TFT LCD阵列基板,包括:基板、形成于基板上栅线和栅电极、形成于栅电极上的绝缘介质层、有源层和欧姆接触层、透明像素电极、源漏电极、数据线、及钝化层,其特征在于:所述欧姆接触层具体为微晶硅材料层,透明像素电极位于微晶硅材料层的上方并与微晶硅材料层欧姆接触,源漏电极形成于透明像素电极的上方。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的