[发明专利]半导体存储器件无效
申请号: | 200610074181.8 | 申请日: | 2006-04-07 |
公开(公告)号: | CN1845255A | 公开(公告)日: | 2006-10-11 |
发明(设计)人: | 椋木敏夫 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | G11C29/00 | 分类号: | G11C29/00;G11C29/24 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 陈英俊 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 提供一种半导体存储器件,不增加芯片面积,就可以实现可靠性提高和合格率提高等高性能。该半导体存储器件是可写入和擦除数据、且在没提供电压期间也能保存该数据的非易失性半导体存储器件,具备存储单元,该存储单元包括可分别存储对应数据的静电荷的第1局部电荷部和第2局部电荷部,第2局部电荷部通过存储与应该存储在第1局部电荷部中的静电荷对应的静电荷,来补充第1局部电荷部。 | ||
搜索关键词: | 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】:
1.一种半导体存储器件,是可写入和擦除数据、且在没供给电压期间也能保存该数据的非易失性的半导体存储器件,其特征在于,具备存储单元,该存储单元包含可分别存储对应上述数据的静电荷的第1局部电荷部及第2局部电荷部;上述第2局部电荷部通过存储与应该存储在上述第1局部电荷部的静电荷对应的静电荷,来补充上述第1局部电荷部。
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