[发明专利]半导体存储器件无效

专利信息
申请号: 200610074181.8 申请日: 2006-04-07
公开(公告)号: CN1845255A 公开(公告)日: 2006-10-11
发明(设计)人: 椋木敏夫 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: G11C29/00 分类号: G11C29/00;G11C29/24
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 陈英俊
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 提供一种半导体存储器件,不增加芯片面积,就可以实现可靠性提高和合格率提高等高性能。该半导体存储器件是可写入和擦除数据、且在没提供电压期间也能保存该数据的非易失性半导体存储器件,具备存储单元,该存储单元包括可分别存储对应数据的静电荷的第1局部电荷部和第2局部电荷部,第2局部电荷部通过存储与应该存储在第1局部电荷部中的静电荷对应的静电荷,来补充第1局部电荷部。
搜索关键词: 半导体 存储 器件
【主权项】:
1.一种半导体存储器件,是可写入和擦除数据、且在没供给电压期间也能保存该数据的非易失性的半导体存储器件,其特征在于,具备存储单元,该存储单元包含可分别存储对应上述数据的静电荷的第1局部电荷部及第2局部电荷部;上述第2局部电荷部通过存储与应该存储在上述第1局部电荷部的静电荷对应的静电荷,来补充上述第1局部电荷部。
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