[发明专利]半导体激光器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200610073814.3 | 申请日： | 2006-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN1841865A | 公开（公告）日： | 2006-10-04 |
| 发明（设计）人： | 和田一彦 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00;H01S5/343;H01S5/323 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体激光器件及其制造方法。在n型GaAs衬底19上形成n型GaAs缓冲层20、非掺杂AlxGa1－xAs光导评估层21、n型AlxGa1－xAs第一覆层22、n型AlxGa1－xAs第二覆层23、非掺杂AlxGa1－xAs第一光导层24、非掺杂AlxGa1－xAs量子阱有源层25、非掺杂AlxGa1－xAs第二光导层26、p型AlxGa1－xAs第一覆层27、p型GaAs蚀刻停止层28、p型AlxGa1－xAs第二覆层29和p型GaAs帽层30。光导评估层21的Al晶体混合比例等于第一和第二光导层24、26的Al晶体混合比例。该半导体激光器件允许容易而高精度地控制光导层的层厚和材料组分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光器件，包括：有源层；光导层，用于限制由所述有源层发射的光；以及光导评估层，具有与所述光导层相同的材料组分。
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