[发明专利]半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 200610073679.2 | 申请日： | 2003-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN1841675A | 公开（公告）日： | 2006-10-04 |
| 发明（设计）人： | 林重德;山本和彦 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件的制造方法。其目的在于：抑制成为低介电常数层的界面层的形成，从而能够获得拥有化学计量结构的绝缘性金属氧化物膜。在非氧化性大气环境中，在硅衬底(1)上沉积金属膜(12)。其次，通过用氧游离基(13)氧化金属膜(12)，而形成成为栅极绝缘膜的金属氧化膜(2)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：在非氧化性大气环境中，在硅区域上沉积金属膜的工序；和通过用氧游离基氧化所述金属膜，形成成为栅极绝缘膜的金属氧化膜的工序；在氧化所述金属膜时，通过控制所述氧游离基飞往所述金属膜的数量，或使用所述氧游离基的处理时间或处理温度，来控制在所述金属氧化膜和所述硅区域的界面所形成的界面层的厚度。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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