[发明专利]低触发电压硅控整流器和其电路

摘要

本发明的低触发电压硅控整流器(low voltage triggering silicon controlled rectifier；SCR)，是通过增加一设置于所述低触发电压硅控整流器阳极与其寄生PNP晶体管射极(emitter)之间的第二掺杂区域，以提升所述低触发电压硅控整流器触发(triggered)时的维持电压(holding voltage)。所述低触发电压硅控整流器包含一具有第一导电型的一半导体衬底和一栅极。所述半导体衬底包含一具有第二导电型的一第一掺杂区域、一具有第一导电型的一第二掺杂区域、一具有第二导电型的一第三掺杂区域、一具有第二导电型的第四掺杂区域和一具有第一导电型的第五掺杂区域。所述栅极是用以较低的触发电压(trigger voltage)触发所述低触发电压硅控整流器。

主权项

1.一种低触发电压硅控整流器，其特征在于包含：一具有第一导电型的半导体衬底，其包含；一具有第二导电型的第一掺杂区域；一具有第一导电型的第二掺杂区域，位于所述第一掺杂区域内，其电阻值决定所述低触发电压硅控整流器的维持电压；一具有第二导电型的第三掺杂区域，位于所述第一掺杂区域与所述半导体衬底的交界；和一具有第二导电型的第四掺杂区域；和一栅极，设置于所述半导体衬底之上，用以控制所述第三掺杂区域和所述第四掺杂区域间的导通；其中所述第二掺杂区域和所述第三掺杂区域并联于阳极，所述栅极、所述第四掺杂区域并联于阴极。