[发明专利]类平面及类鳍式场效电晶体的电晶体元件及其制造方法有效
| 申请号： | 200610066934.0 | 申请日： | 2006-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN1855542A | 公开（公告）日： | 2006-11-01 |
| 发明（设计）人： | 季明华;江文铨;江木吉 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/822;H01L27/04 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种类平面及类鳍式场效电晶体的电晶体元件，本发明揭露了于块状硅材上的类平面互补金氧半导体及鳍式场效电晶体的电晶体元件。第一电晶体具有掺杂且凹陷的通道区，此通道区是形成于浅沟隔离区的侧壁上。第二电晶体则具有掺杂且凹陷的通道区，且其具有复数个边鳍并列于元件的主动区的边界上。第三电晶体具有未掺杂且凹陷的通道区于浅沟隔离区的侧壁上，其中通道区具有复数个边鳍于其上。此外，上述的每一元件均可附加额外的罩幕，以让传统电晶体及本发明的类鳍式场效电晶体的电晶体元件共同制造于块状硅材上。另外，数个用以制造以上各个元件的方法亦将在本发明中揭露。 | ||
| 搜索关键词： | 平面 类鳍式场效 电晶体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种类平面鳍式场效电晶体元件的电晶体元件，其特征在于其包括：一半导体基材，具有一顶壁及至少一凹陷区，其中该凹陷区具有一侧壁及一底部；一绝缘层的一部分，形成于该凹陷区中；一掺杂区，位于该凹陷区的该侧壁；一闸介电层，位于该半导体基材的该顶壁及该凹陷区的该侧壁上，其中该闸介电层的介电常数约大于4；以及一闸极电极，位于该半导体基材的该顶壁及该凹陷区的该侧壁上。
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