[发明专利]使用超薄金属氧化物栅极介电层的有机薄膜晶体管及其制造方法

摘要

本发明提供一种低电压有机薄膜晶体管，以O₂等离子体工艺，将超薄金属氧化物的栅极介电层自我形成于栅电极上。该金属栅电极沉积于塑料或玻璃基板上。使用O₂等离子体工艺氧化该栅电极，使金属氧化物的栅极介电层直接形成于该栅电极上，其厚度仅为数纳米。随后有机半导体层沉积于该栅极介电层上，而源电极/漏电极形成于该有机半导体层上。于形成该有机半导体层之前，可使用分子自我组合技术形成有机单分子层于该栅极介电层上。该栅极介电层可于室温至约100℃温度下形成。

主权项

1.一种有机薄膜晶体管，其特征在于，其包含：一基板；一栅电极形成于该基板上，其中该栅电极是由可氧化的金属制成；一超薄栅极介电层形成于该栅电极上，其中该栅极介电层是由O2等离子体工艺自我形成于栅电极上的金属氧化物制成；一有机半导体层形成于该栅极介电层上；而源电极/漏电极形成于该有机半导体层上，其中该源电极/漏电极互相间隔开。