[发明专利]用离子束注入衬底无效
申请号: | 200610066038.4 | 申请日: | 2006-03-21 |
公开(公告)号: | CN1841665A | 公开(公告)日: | 2006-10-04 |
发明(设计)人: | A·J·默雷尔;S·安德伍德;M·A·福德 | 申请(专利权)人: | 应用材料有限公司 |
主分类号: | H01L21/265 | 分类号: | H01L21/265;H01J37/317 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 赵蓉民 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明涉及一种衬底注入方法,其包含:沿着一系列在第一方向延伸的扫描线相对于衬底扫描离子束,使所述衬底与所述离子束之间产生相对旋转,沿着在不同方向的第二系列扫描线扫描所述离子束。在沿着每个方向扫描期间均改变注入配方,以便在每个扫描步骤产生不同区域。在两个扫描步骤中形成的区域相互重叠,以便在注入过程中,衬底的不同部分,根据不同配方接收不同的注入剂量。所述不同配方可产生不同掺杂剂浓度、掺杂深度或甚至不同掺杂剂种类。 | ||
搜索关键词: | 离子束 注入 衬底 | ||
【主权项】:
1.一种用离子束注入衬底的方法,其包含:使所述衬底与所述离子束之间产生相对运动,以便所述离子束沿着一系列相对于所述衬底在第一方向延伸的扫描线,扫描整个衬底,从而将所述衬底注入第一遍;使所述衬底与所述离子束之间产生相对旋转;并且重复使所述衬底与所述离子束之间产生相对运动这一步骤,以便所述离子束现在循着一系列相对于所述衬底在第二不同方向延伸的扫描线扫描,从而将所述衬底注入第二遍;该方法进一步包含:根据第一注入配方,完成所述第一遍注入的第一部分,改变所述离子束或衬底的第一特性,并且根据第二注入配方,完成所述第一遍注入的第二部分,从而形成所述衬底的第一和第二区域;并且根据第三注入配方,完成所述第二遍注入的第一部分,改变所述离子束或衬底的第二不同特性,并且根据第四注入配方,完成所述第二遍注入的第二部分,从而形成所述衬底的第三和第四区域;其中所述第三和第四区域均与所述第一和第二区域重叠。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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