[发明专利]半导体器件

摘要

一种半导体器件，其特征在于具有：半导体衬底；含形成在所述衬底中的沟槽和埋入在沟槽内的绝缘膜的元件隔离区；形成在所述衬底中的有源区，该有源区包括其上形成有栅绝缘膜的阱区，该栅绝缘膜上形成有栅电极，阱区包括与栅电极相对应地设置的源和漏扩散区，其中，沟槽中的埋入绝缘膜具有平面延伸到衬底中的底表面，且该埋入绝缘膜包围着有源区，该底表面延伸的深度比扩散区深；埋入绝缘膜有至少包围源和漏扩散区的凹陷的上部平表面，以防止元件隔离区所引起的晶体缺陷，所述凹陷的上部平表面的深度从衬底的平表面算起大于等于所述源和漏扩散区的杂质分布的峰值浓度的深度；沿沟槽中的埋入绝缘膜的侧面和底面形成有氮氧化物膜，该氮氧化物膜与衬底相接触。

主权项

1.一种半导体器件，具有：半导体衬底；包括形成在所述半导体衬底中的沟槽和埋入在所述沟槽内的绝缘膜的元件隔离区；和形成在所述半导体衬底中的有源区，该有源区包括在上面形成有栅绝缘膜的阱区，并且在该栅绝缘膜上形成有栅电极，所述阱区包括与所述栅电极相对应地设置的离子注入的源和漏扩散区，其中，在所述沟槽中的所述埋入绝缘膜具有平面延伸地深入到所述半导体衬底中的底表面，且该埋入绝缘膜在平面图上包围着所述有源区，该底表面延伸的深度比所述扩散区深；所述埋入绝缘膜具有至少包围所述源和漏扩散区的凹陷的上部平表面，以防止因在所述扩散区附近的所述元件隔离区所引起的晶体缺陷，所述凹陷的上部平表面的深度从所述半导体衬底的平表面算起大致等于或大于所述源和漏扩散区的杂质分布的峰值浓度的深度；以及沿所述沟槽中的所述埋入绝缘膜的侧面和底面形成有氮氧化物膜并且该氮氧化物膜与所述半导体衬底相接触。