[发明专利]用于图像传感器的自对准金属硅化物处理方法

摘要

本发明公开了一种在CMOS图像传感器上形成自对准金属硅化物的自对准金属硅化物工艺方法，该方法可与传统的CMOS图像传感器处理工艺相统一。其中，绝缘层沉积在图像传感器的像素阵列上方；采用光刻胶作掩模，除去部分的绝缘层，并沉积金属层；光刻胶掩模保护图像传感器的感光区域；对金属层进行退火处理，以形成金属硅化物。

主权项

1、一种在硅基体中的像素阵列上形成硅化物的方法，所述像素阵列具有至少一个多晶硅结构，该方法包括：在所述的像素阵列上方形成绝缘层；在所述的绝缘层上方形成光刻胶，所述的光刻胶至少保护所述像素阵列中的感光区域；采用所述的光刻胶作为掩模，除去部分所述的绝缘层，以便暴露出所述的至少一个多晶硅结构以及所述硅基体的一部分；在所述的绝缘层上方、所述的至少一个多晶硅结构上方以及所述半导体基体的所述暴露部分上方形成金属层；以及通过使所述金属层退火而形成金属硅化物，所述的金属硅化物是在所述金属层与所述硅基体和所述至少一个多晶硅结构相接触的地方形成的。