[发明专利]拉制半导体单晶的装置及方法无效
| 申请号： | 200610053649.5 | 申请日： | 2006-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN1958875A | 公开（公告）日： | 2007-05-09 |
| 发明（设计）人： | 姚奎鸿;朱成良;祝洪良 | 申请（专利权）人： | 浙江理工大学 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00 |
| 代理公司： | 杭州之江专利事务所 | 代理人： | 连寿金 |
| 地址： | 310018*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种拉制半导体单晶的装置及方法，其特征在于：在第一激磁线圈(3)的上端部、第二激磁线圈(4)下端部、第一激磁线圈和第二激磁线圈之间分别设置一个环状导磁体(5、6、7)，在第一激磁线圈(3)和第二激磁线圈(4)的外侧设置一个筒状导磁体(8)，同现有技术比较，本发明的优点是：1)采用这种磁场结构后，在相同激磁线圈和通电电流的条件下，在坩埚侧壁液面处，磁场强度增强50％以上，或者在相同磁场强度下，电耗节省50％以上；2)同时有助于改善单晶生长条件和提高单晶质量，如掺杂剂在单晶内分布均匀，含氧量降低。 | ||
| 搜索关键词： | 拉制 半导体 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种拉制半导体单晶的装置，包括拉晶炉膛(1)，石英坩埚(2)，炉膛外侧上下设有两个同轴布置的激磁线圈，其第一激磁线圈(3)和第二激磁线圈(4)通电电流方向相反，其特征在于：在第一激磁线圈的上端部、第二激磁线圈(4)下端部、第一激磁线圈和第二激磁线圈之间分别设置一个环状导磁体(5，6，7)，在第一激磁线圈(3)和第二激磁线圈(4)的外侧设置一个筒状导磁体(8)。
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