[发明专利]存储器件、半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200610051480.X | 申请日： | 2006-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN1832204A | 公开（公告）日： | 2006-09-13 |
| 发明（设计）人： | 田尚勋;金桢雨;黄显相;崔相武 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种存储器件及其制造方法。所述存储器件包括栅极结构，所述栅极结构包括在半导体衬底上的电荷存储层中的金属氮化物材料。该栅极结构设置于形成于半导体衬底上的第一掺杂剂区和第二掺杂剂区之间。该金属氮化物材料被构造以作为俘获电荷的俘获点。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种存储器件，包括：半导体衬底；形成于所述半导体衬底上的第一掺杂剂区和第二掺杂剂区；以及形成于所述半导体衬底上的栅极结构，所述栅极结构设置于所述第一和第二掺杂区之间，所述栅极结构包括电荷存储层中的金属氮化物，所述金属氮化物配置成俘获点以存储电荷。
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