[发明专利]发光二极管器件及其制造方法无效
申请号: | 200610051460.2 | 申请日: | 2006-02-28 |
公开(公告)号: | CN1828957A | 公开(公告)日: | 2006-09-06 |
发明(设计)人: | 鸭下昌一 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;C09K11/08 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 陈瑞丰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种混色良好并且色度改变较小的LED器件。所述LED器件在外壳中包括:LED基片(1);荧光材料(8),它受来自LED基片(1)的光激发产生波长与来自LED基片(1)的光波长不同的光;以及包含荧光材料(8)的半透明树脂(7)。所述LED基片(1)具有侧面部分、顶面部分、底面部分,以及夹在顶面部分与底面部分之间的发光层,并且半透明树脂(7)中的所述荧光材料(8)在外壳(4)的底面上设置成层状形式,全部或者部分地覆盖LED基片(1)的侧面部分。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种发光二极管器件,在外壳中包括:发光二极管基片;荧光材料,它受来自发光二极管基片的光激发而产生波长与来自发光二极管基片的光波长不同的光;以及包含荧光材料的半透明树脂,其中:所述发光二极管基片包括侧面部分、顶面部分、底面部分,以及夹在顶面部分与底面部分之间的发光层,并且半透明树脂中的所述荧光材料在外壳底面上设置成层状形式,全部或者部分地覆盖发光二极管基片的侧面部分。
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