[发明专利]半导体器件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200610051420.8 申请日: 2006-02-24
公开(公告)号: CN1832179A 公开(公告)日: 2006-09-13
发明(设计)人: 小山润;大力浩二;冈崎奖;守屋芳隆;山崎舜平 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L21/84
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 张浩
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明的一个目的是提供一种半导体器件和制造所述半导体器件的方法,所述半导体器件具有挠性和抗物理变化(诸如弯曲)的特性。本发明的半导体器件包括设置在挠性衬底上的多个晶体管、设在所述多个晶体管之间的弯曲部分,以及被设置成用于覆盖所述栅电极的层间绝缘膜,每个所述晶体管都具有半导体膜、以与所述半导体膜之间具有栅绝缘膜的方式设置在所述半导体膜上的栅电极,其中所述弯曲部分是通过用具有比层间绝缘膜更低弹性模数的材料、比层间绝缘膜更低玻璃转化点的材料或者比层间绝缘膜更高可塑性的材料填充形成在层间绝缘膜中的开口而提供的。
搜索关键词: 半导体器件 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种半导体器件,包括:设置在挠性衬底上的多个晶体管,每个所述晶体管都包括半导体膜、和以与所述半导体膜之间具有栅绝缘膜的方式设置在所述半导体膜上的栅电极;被设置成用于覆盖所述栅电极的层间绝缘膜;以及设在所述多个晶体管之间的弯曲部分,其中,所述弯曲部分为设置在所述层间绝缘膜中的间隔。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所,未经株式会社半导体能源研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200610051420.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top