[发明专利]微波等离子体装置及制备金刚石薄膜和刻蚀碳膜的方法无效
申请号: | 200610050018.8 | 申请日: | 2006-03-27 |
公开(公告)号: | CN1858299A | 公开(公告)日: | 2006-11-08 |
发明(设计)人: | 马志斌;郑志荣 | 申请(专利权)人: | 杭州大华仪器制造有限公司 |
主分类号: | C23C16/513 | 分类号: | C23C16/513;C23C16/27;H01J37/317 |
代理公司: | 杭州九洲专利事务所有限公司 | 代理人: | 翁霁明 |
地址: | 311401*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 一种微波等离子体装置及制备金刚石薄膜和刻蚀碳膜的方法,该装置至少包括一产生微波源的磁控管,它通过一矩形波导管、三螺钉阻抗调配器接有微波谐振腔,在微波谐振腔内设置有石英管反应室,在微波谐振腔的边上还接有一短路活塞;制备金刚石薄膜是:它将基片放到基片台上,打开真空泵,逐步提高磁控管的工作电压并产生等离子体;通入含碳的工作气体,调节三螺钉阻抗调配器,使石英管反应室内得到最大的微波功率,经过20-40分钟稳定工作,完成基片的形核工作;对完成形核的基片再通入含碳的工作气体,经过2-5小时稳定工作,在基片上制备出相应厚度的金刚石薄膜;利用上述装置可以进行刻蚀碳膜;它具有结构简单、合理,使用方便、可靠等特点。 | ||
搜索关键词: | 微波 等离子体 装置 制备 金刚石 薄膜 刻蚀 方法 | ||
【主权项】:
1、一种微波等离子体装置,它至少包括有一产生微波源的磁控管,其特征在于该磁控管(1)至少通过一矩形波导管(8)、三螺钉阻抗调配器(4)接有微波谐振腔(14),在微波谐振腔(14)内设置有石英管反应室,在微波谐振腔(14)的边上还接有一短路活塞(9)。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的