[发明专利]半导体均压层和中导电性硅橡胶及制备合成绝缘子的工艺无效
| 申请号： | 200610033509.1 | 申请日： | 2006-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN1923898A | 公开（公告）日： | 2007-03-07 |
| 发明（设计）人： | 赵杰;李立浧;饶宏;梁曦东;罗兵;张德进;黄梓容;刘铁桥;黄肖霞;芮献敬 | 申请（专利权）人： | 南方电网技术研究中心;东莞市高能实业有限公司 |
| 主分类号： | C08L83/00 | 分类号： | C08L83/00;C08K5/54;H01B3/28;C08K3/04;C08K3/36 |
| 代理公司： | 东莞市华南专利事务所有限公司 | 代理人： | 张明 |
| 地址： | 510620广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体均压层和中导电性硅橡胶以及采用半导体均压层和中导电性硅橡胶制备特高压合成绝缘子端部半导体层均压装置的工艺，其中半导体均压层和中导电性硅橡胶其采用高温硫化硅橡胶制成，其特征在于：其主要组成原料包括110－2生胶体系、气相法白炭黑和导电炭黑补强填充体系、硅烷偶联处理剂等组份。上述原料的重量配比为100份110－2生胶体系、20～40份气相法白炭黑和10～18份导电炭黑补强填充体系、1～15份硅烷偶联处理剂。本发明通过半导体形的电阻率将高压端产生的磁场降低，减少金具电晕、材料表面持续放电等现象的发生及防止芯棒端部被加速老化。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 均压层 导电性 硅橡胶 制备 合成 绝缘子 工艺 | ||
【主权项】：
1、半导体均压层和中导电性硅橡胶，其将采用高温硫化硅橡胶制成，其特征在于：其主要组成原料包括110-2生胶体系、气相法白炭黑和导电炭黑补强填充体系、硅烷偶联处理剂等组份；上述原料的重量配比为100份110-2生胶体系、20～40份气相法白炭黑和10～18份导电炭黑补强填充体系、1～15份硅烷偶联处理剂。
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