[发明专利]改进器件反转短沟道效应的方法无效
| 申请号： | 200610030636.6 | 申请日： | 2006-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN101136369A | 公开（公告）日： | 2008-03-05 |
| 发明（设计）人： | 周贯宇;吕煜坤;钱文生 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾继光 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改进器件反转短沟道效应的方法，依次包括：STI形成、P阱注入、N阱和PMOS形成、栅氧化、LDD和HALO注入、边墙形成、NMOS源漏注入、源漏快速退火、NMOS沟道调节注入、PMOS源漏注入、源漏快速退火。本发明的改进器件反转短沟道效应的方法能改善器件的电学性能表现，还可减小电路在空载时候的电流，且显著改善了器件NMOS反转短沟道效应，增强了器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 改进 器件 反转 沟道 效应 方法 | ||
【主权项】：
1.一种改进器件反转短沟道效应的方法，依次包括：STI形成、P阱注入，其特征在于，还包括：N阱和PMOS形成、栅氧化、LDD和HALO注入、边墙形成、NMOS源漏注入、源漏快速退火、NMOS沟道调节注入、PMOS源漏注入、源漏快速退火。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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