[发明专利]硅片表面的处理方法有效
| 申请号： | 200610028784.4 | 申请日： | 2006-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN101106083A | 公开（公告）日： | 2008-01-16 |
| 发明（设计）人： | 苏晓平;江彤 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L31/18;C23F1/10;C23F1/24 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 公开了一种硅片表面的处理方法，该方法利用新的混合液对硅片表面进行粗糙化处理，使硅片表面的反射率降低，同时也去除了硅片从硅锭上切割下来时在其表面所形成的切割损伤层，提高了硅太阳能电池的转换效率，并有效地改善了现有硅片表面粗糙化处理时出现的腐蚀不均匀、重复性不好，易对环境造成污染等问题，另外本发明的处理方法还具有工艺简单，成本低的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 表面 处理 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅片表面的处理方法，其特征在于，包括步骤：配制含有硝酸钾、氢氟化氨和硫酸的混合液；将硅片浸入所述混合液中；取出硅片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
