[发明专利]对外延基片减少高浓度参杂物外扩的方法无效
| 申请号： | 200610028258.8 | 申请日： | 2006-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN101097857A | 公开（公告）日： | 2008-01-02 |
| 发明（设计）人： | 缪进征;龚玲玲 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/22 | 分类号： | H01L21/22;H01L21/318;H01L21/311;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种对外延基片减少高浓度参杂物外扩的方法，该方法通过在外延基片背面多晶硅、氧化硅的基础上增加氮化硅薄膜，可以降低背面氧化膜的厚度要求，降低制造成本，并能减少对后面工序的影响，减少高浓度参杂物的对外扩散。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 减少 浓度 参杂 物外 方法 | ||
【主权项】：
1、一种对外延基片减少高浓度参杂物外扩的方法，其特征在于，采用在外延基片背面增加氮化硅薄膜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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