[发明专利]形成高深宽比连接孔的方法有效
| 申请号： | 200610026562.9 | 申请日： | 2006-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN101075575A | 公开（公告）日： | 2007-11-21 |
| 发明（设计）人： | 徐锋;谭大正;吴秉寰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种形成高深宽比连接孔的方法，该方法优化了原来深宽比较小时常用的离子化的金属等离子体IMP技术以淀积Ti层，并利用金属有机物化学气相淀积MOCVD技术形成TiN层，再通过对Ti/TiN层进行快速热退火RTA改善其性能，然后利用脉冲成核层PNL技术填充钨形成孔塞，实现了对于深宽比大于10∶1的高深宽比的连接孔的制备。本发明可以在无需购置新设备的情况下制备出与现有技术性能相当的器件，降低了生产成本，并提高了器件可靠性，降低了反应温度。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 高深 连接 方法 | ||
【主权项】：
1、一种形成高深宽比连接孔的方法，其特征在于，所述的方法包括：a在绝缘膜上形成孔；b用离子化的金属等离子体IMP方法在所述孔的底部和侧壁形成粘附层；c用金属有机物化学气相淀积MOCVD方法在所述粘附层表面形成阻挡层；d快速热退火处理；e利用脉冲成核层PNL工艺在所述孔内填充金属形成连接孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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