[发明专利]形成高深宽比连接孔的方法

权利要求书

1、一种形成深宽比大于10∶1的连接孔的方法，其特征在于，所述的方法包括：

a在绝缘膜上形成孔；

b用离子化的金属等离子体方法在所述孔的底部和侧壁形成粘附层，所述粘附层为Ti层，其厚度在200到之间，形成粘附层Ti层时采用的Ti偏压范围在200V到800V之间；

c用金属有机物化学气相淀积方法在所述粘附层表面形成阻挡层，所述阻挡层为TiN层；

d快速热退火处理，所述快速热退火处理的温度在400到800℃之间，所述快速热退火处理的时间在10到50秒之间，所述快速热退火处理所用气体为氮气，所述氮气的流量在1sccm到20sccm之间；

e利用脉冲成核层工艺在所述孔内填充金属W形成连接孔。

2、如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述阻挡层厚度在50到之间。

3、如权利要求2所述的方法，其特征在于：所述的形成阻挡层TiN层时通入的反应气体为四二甲基酰氨钛。

4、如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤e中进一步包括：

e1：起始步骤；

e2：成核步骤：

e3：填充步骤。

5、如权利要求4所述的方法，其特征在于：所述步骤e1中所用的反应气体为B₂H₆和WF₆。

6、如权利要求5所述的方法，其特征在于：所述反应气体B₂H₆的流量在50sccm到300sccm之间，所述反应气体WF₆的流量在50sccm到200sccm之间。

7、如权利要求5所述的方法，其特征在于：通入所述反应气体的同时通入载气体。

8、如权利要求7所述的方法，其特征在于：所述的载气体是氩气。

9、如权利要求7所述的方法，其特征在于：所述的反应气体B₂H₆、WF₆和载气体间的流量比在1∶1∶1到1∶10∶100之间。

10、如权利要求7所述的方法，其特征在于：所述的反应气体及载气体的通入与抽取是周期性的，每一周期的通入时间在50ms到10s之间，每一周期内的抽取的时间在1s到30s之间。

11、如权利要求4所述的方法，其特征在于：所述的步骤e2中所用的反应气体为SiH₄和WF₆。

12、如权利要求11所述的方法，其特征在于：所述反应气体SiH₄的流量在10sccm到300sccm之间，所述反应气体WF₆的流量在10sccm到300sccm之间。

13、如权利要求11所述的方法，其特征在于：通入所述反应气体的同时通入载气体。

14、如权利要求13所述的方法，其特征在于：所述的载气体是氩气。

15、如权利要求13所述的方法，其特征在于：所述的反应气体SiH₄、WF₆和载气体间的流量比在1∶1∶1到1∶10∶100之间。

16、如权利要求13所述的方法，其特征在于：所述的反应气体及载气体的通入与抽取是周期性的，每一周期的通入时间在50ms到10s之间，每一周期内的抽取的时间在1s到30s之间。

17、如权利要求4所述的方法，其特征在于：所述的步骤e3中所用的反应气体为WF₆和H₂。

18、如权利要求17所述的方法，其特征在于：所述反应气体WF₆的流量在50sccm到300sccm之间，所述反应气体H₂的流量在1000sccm到4000sccm之间。

19、如权利要求17所述的方法，其特征在于：通入所述反应气体的同时通入载气体。

20、如权利要求19所述的方法，其特征在于：所述的载气体是氩气。