[发明专利]金属基极有机晶体管及其制备方法

摘要

本发明属于一种用有机半导体材料做有源介质的金属基极有机晶体管及其制备方法。采用垂直结构，把金属基极、有机发射极和发射极接触金属直接蒸镀在n型或p型高掺杂硅衬底上，制备成金属接触电极/高掺杂硅衬底/金属基极/有机发射极/发射机接触金属电极/金属基极有机晶体管。制备的器件直接用直流电流驱动，得到的器件的共基极增益接近于1，共发射极增益最大可达8500。器件的制备工艺简单，成本低。

主权项

1、一种金属基极有机晶体管，其构成为：高掺杂硅衬底(1)，基极金属层(2)，有机发射极层(3)，发射极电极金属层(4)，收集极金属电极接触层(5)；其中，收集极金属电极接触层(5)、高掺杂硅衬底(1)、基极金属层(2)、有机发射极层(3)、发射极电极金属层(4)依次连接；其特征在于所说的有机发射极层(3)使用N型有机半导体材料8-羟基喹啉铝(Alq3)、二(2-甲基-8-羟基喹啉)-(4-苯基苯酚)铝(BAlq3)、氟化酞氰铜(F16CuPc)和P型有机半导体材料酞氰铜(CuPc)、N，N’-双(1-萘基)-N，N’-二苯基-1，1’-二苯基-4，4’-二胺(NPB)，4，4’-N，N’-二咔唑基-联苯(CBP)、N，N’-二苯基-N，N’-二(3-甲基-苯基)-1，1’-联苯-4，4’二胺(TPD)、1，3-二咔唑基苯和1，4-二咔唑基苯中的任何一种。