[发明专利]有机半导体晶体薄膜及弱取向外延生长制备方法和应用有效
| 申请号： | 200610016822.4 | 申请日： | 2006-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN101013739A | 公开（公告）日： | 2007-08-08 |
| 发明（设计）人： | 闫东航;王海波;朱峰;史建武;宋德 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春应用化学研究所 |
| 主分类号： | H01L51/00 | 分类号： | H01L51/00;H01L51/05;H01L51/42;H01L21/20 |
| 代理公司： | 长春科宇专利代理有限责任公司 | 代理人： | 马守忠 |
| 地址： | 130022吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明涉及有机半导体晶体薄膜及弱取向外延生长制备方法。有机半导体晶体薄膜，既可以是n型半导体，也可以是p型半导体；本发明的有机半导体晶体薄膜有机半导体晶体中的分子站立在有序基板上取向排列，与有序基板存在取向关系。本发明制备有机半导体晶体薄膜可用于有机晶体管和有机光电三极管器件。本发明制备方法的优点是能够控制有机半导体晶体的高载流子迁移率方向在薄膜内取向有序，增强晶体之间的接触，提高薄膜的机械强度和微加工性质，载流子迁移率高，本发明弱取向外延生长薄膜为0.24cm2/Vs，是气相沉积膜的5倍，具有类单晶的性质。本发明制备方法的另一优点是适合玻璃基板和塑料基板。 | ||
| 搜索关键词： | 有机半导体 晶体 薄膜 取向 外延 生长 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1、一种有机半导体晶体薄膜，其特征在于所述的有机半导体晶体薄膜(5)中的有机半导体分子站立在有序基板(9)上排列，并与有序基板(9)存在取向关系。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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