[发明专利]消除半导体硅晶片表面应力的方法无效
| 申请号： | 200610014061.9 | 申请日： | 2006-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN1912196A | 公开（公告）日： | 2007-02-14 |
| 发明（设计）人： | 刘玉岭;周建伟;张伟 | 申请（专利权）人： | 河北工业大学 |
| 主分类号： | C30B33/00 | 分类号： | C30B33/00 |
| 代理公司： | 天津市三利专利商标代理有限公司 | 代理人： | 闫俊芬 |
| 地址： | 30013*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体加工工艺，尤其涉及一种消除半导体硅晶片表面应力的方法，其特征是：在初加工后的硅片表面划出损伤应力环。本发明的有益效果：通过制作损伤应力环，可有效地减少并除去硅晶片表面应力，避免晶片出现滑移线、位错排和造成集成电路p－n结导通或导致漏电流增大。其方法简便，易操作，不需要改变现有设备。 | ||
| 搜索关键词： | 消除 半导体 晶片 表面 应力 方法 | ||
【主权项】：
1、一种消除半导体硅晶片表面应力的方法，其特征是：在初加工后的硅片表面划出损伤应力环。
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