[发明专利]非挥发性存储器器件结构无效
| 申请号： | 200610011764.6 | 申请日： | 2006-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN1851931A | 公开（公告）日： | 2006-10-25 |
| 发明（设计）人： | 康晋锋;杨竞峰;刘晓彦;张兴;王新安;韩汝琦;王阳元 | 申请（专利权）人： | 北京大学深圳研究生院 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L29/43;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 518055广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种非挥发性存储器器件结构，属于半导体集成电路器件设计及制造技术领域。该结构包括位于衬底之上隧穿氧化层、位于隧穿氧化层之上的衬底阻挡层、位于衬底阻挡层之上的类浮栅电荷存储层、位于类浮栅电荷存储层之上的栅阻挡层以及位于最顶层的栅电极，其中衬底阻挡层采用禁带宽度介于3eV至7eV，且体内陷阱态密度小的绝缘材料。类浮栅电荷存储层由多晶硅或金属构成。衬底阻挡层阻挡存储电荷的回迁，但是基本不阻挡衬底电子的写入，因此该存储器件的总体性能得以显著提升。 | ||
| 搜索关键词： | 挥发性 存储器 器件 结构 | ||
【主权项】：
1、一种非挥发性存储器器件结构，包括： (1)衬底； (2)位于衬底之上设有隧穿氧化层，该层厚度为10-50； (3)位于隧穿氧化层之上设有衬底阻挡层，该层由禁带宽度介于3eV至 7eV，体内陷阱态密度小的材料构成，该层厚度为30-200； (4)位于衬底阻挡层之上设有类浮栅电荷存储层，该层厚度为10-100 ； (5)位于类浮栅电荷存储层之上设有栅阻挡层，该层厚度为30-150； (6)位于栅阻挡层之上设有栅电极。
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