[发明专利]磁场辅助的自辉光等离子体离子注入装置有效
| 申请号： | 200610009999.1 | 申请日： | 2006-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN1845292A | 公开（公告）日： | 2006-10-11 |
| 发明（设计）人： | 田修波;杨士勤 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317;H01J37/02;H01L21/265;H01L21/425;C30B31/22;C23C14/48 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 | 代理人： | 张伟 |
| 地址： | 150001黑龙江*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 磁场辅助的自辉光等离子体离子注入装置，涉及一种离子注入装置。传统的高压脉冲自激发产生等离子体方式中存在注入效应小、有延时的问题。磁场辅助的自辉光等离子体离子注入装置，它包括真空室(1)，在真空室(1)内放置待加工工件(3)，待加工工件(3)与电源连接，在待加工工件(3)附近设置能与其产生“电场和磁场耦合效应”的磁铁(4)。对本发明所述待加工工件施加脉冲时，由于电场和磁场的耦合效应，等离子体产生就变得容易，于是延时减少、等离子体密度增加，注入效应得到增强。本发明所述方法简单可行，经实验证明具有极佳的效果，利于推广应用。 | ||
| 搜索关键词： | 磁场 辅助 辉光 等离子体 离子 注入 装置 | ||
【主权项】：
1.一种磁场辅助的自辉光等离子体离子注入装置，它包括真空室(1)，在真空室(1)内放置待加工工件(3)，待加工工件(3)与电源连接，其特征在于在待加工工件(3)附近设置能与其产生“电场和磁场耦合效应”的磁铁(4)。
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