[发明专利]具有改进的灵敏度的图像传感器及其制造方法无效
申请号: | 200610007030.0 | 申请日: | 2006-02-14 |
公开(公告)号: | CN1828868A | 公开(公告)日: | 2006-09-06 |
发明(设计)人: | 吴泰锡;李德珉;李准泽 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/82 | 分类号: | H01L21/82;H01L21/768;H01L27/146;H01L23/522 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 李晓舒;魏晓刚 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明涉及具有改善的灵敏度的图像传感器及其制造方法。该图像传感器包括:衬底,其具有有源像素区域,外围电路区域围绕所述有源像素区域;多个光转换元件,其设置在所述有源像素区域中,每个光转换元件配置为通过透镜和形成在多个层间电介质层之间的开口接收光,所述多个层间电介质层在所述衬底上形成于彼此之上;以及多个互连,其电连接到设置在所述有源像素区域内的所述光转换元件,其中所述透镜与所述光转换元件之间的距离短于所述衬底与所述外围电路区域中的顶层间电介质之间的距离。 | ||
搜索关键词: | 具有 改进 灵敏度 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种形成图像传感器器件的方法,包括:提供具有有源像素区域和外围电路区域的衬底;在所述有源像素区域中设置多个光转换元件;在所述有源像素区域和所述外围电路区域中(或所述衬底上)形成多个晶体管;在所述衬底上形成多个层间电介质层,每个相邻的层间电介质层之间具有蚀刻终止层;在所述层间电介质内形成连接到各光转换元件的互连;通过蚀刻多个层间电介质层在所述有源像素区域中提供凹陷;提供穿过残留的多个层间电介质层的开口从而形成用于所述光转换元件的光路径;用透明材料填充所述开口;以及在所述开口之上形成滤色器和透镜,其中从所述光转换元件至所述透镜的光路径的距离短于从所述衬底至所述外围电路区域中的层间电介质的顶层的距离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造