[发明专利]半导体器件的制造方法及半导体器件

摘要

一种半导体器件的制造方法，其中当制造具有内置光接收单元的半导体器件时，用于分隔光接收单元的分隔区域受到保护而免于例如由蚀刻引起的破坏。抗反射涂层不仅形成于分隔的光电二极管区域中的光接收区域上，而且形成于分隔的区域上，其中该分隔的区域包括在光接收区域外的用于分隔光电二极管的分隔区域和阴极之间的结区域。形成多晶硅膜以覆盖抗反射涂层。从而，利用多晶硅膜可以保护光接收区域外的分隔区域与阴极之间的结区域上的抗反射涂层免于例如蚀刻。因而，抑制了该区域中晶体缺陷的发生、杂质浓度的改变等。从而，可制造出高性能高品质的具有内置光电二极管的半导体器件。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，用于制造具有内置光接收单元的半导体器件，该方法包括下列步骤：在分隔的光接收单元的光接收区域上、在该光接收区域外的分隔区域上、以及在该光接收区域外的分隔区域的邻近区域上形成抗反射涂层，该光接收区域外的分隔区域用于分隔该光接收单元；以及在该抗反射涂层上形成保护层，该保护层用于保护该抗反射涂层。