[发明专利]一种用负性电子抗蚀剂制备纳米电极的方法无效
| 申请号： | 200610003531.1 | 申请日： | 2006-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN101017778A | 公开（公告）日： | 2007-08-15 |
| 发明（设计）人： | 龙世兵;刘明;陈宝钦 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/283 | 分类号： | H01L21/283;G03F7/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 段成云 |
| 地址： | 100029*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种采用负性电子抗蚀剂制备纳米电极的方法。本发明的主要特征是利用电子束光刻(EBL)在各种衬底上获得间距为纳米尺度的一对或一组负性电子抗蚀剂凸立图形，再用刻蚀工艺制备各种材料的纳米电极。其主要步骤包括：在绝缘衬底上生长导电性好的金属或半导体导电层；涂敷负性电子抗蚀剂；前烘；电子束直写曝光；显影；定影；刻蚀；去胶。采用这种方法制备的纳米电极的间距可达到20－100nm，可用于制作各种量子点器件、纳米线、纳米管器件、单电子器件等多种器件或电路。这种方法具有工艺步骤少、简单、稳定可靠、用途多、能与传统CMOS工艺兼容的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用负性 电子 抗蚀剂 制备 纳米 电极 方法 | ||
【主权项】：
1、一种采用负性电子抗蚀剂，利用电子束光刻和刻蚀工艺制备纳米电极的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)在衬底上生长导电层；(2)涂敷负性电子抗蚀剂；(3)对负性电子抗蚀剂进行前烘；(4)对负性电子抗蚀剂进行电子束直写曝光；(5)显影；(6)定影；(7)刻蚀，将电极图形从抗蚀剂上转移到导电层上；(8)去胶。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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