[发明专利]发光二极管装置有效
| 申请号： | 200610003361.7 | 申请日： | 2006-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN1819289A | 公开（公告）日： | 2006-08-16 |
| 发明（设计）人： | 户田雅宏;岩本正己;森山严与;中西晶子;齐藤明子;川岛净子;三瓶友广;塩崎满;植竹久代 | 申请（专利权）人： | 东芝照明技术株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L25/075;H01L23/28;F21V7/00 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种发光二极管装置，它可提高输出光的光束及其演色性。该发光二极管装置具备：发光二极管芯片(8)，它安装在基板(2)上；黄色荧光体层(13)，它覆盖发光二极管芯片，并且添加有黄色荧光体；底部、侧面镀金层(7a、7b)，它们形成于基板上，并且具有如下反射特性：在发光二极管芯片的发光波长范围内，其光反射率低于镍的光反射率，并且在黄色荧光体层中荧光发光波长范围内，其光反射率高于镍的光反射率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 装置 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管装置，其特征在于，包括：发光二极管芯片，其安装在基板上；荧光体层，其覆盖发光二极管芯片，并且添加有荧光体；反射层，其形成于基板上，并且具有以下反射特性：在发光二极管芯片的发光波长范围内，其光反射率低于镍的光反射率，并且在荧光体层中荧光发光波长范围内，其光反射率高于镍的光反射率。
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