[发明专利]铜合金导体及其架空导线、电缆以及铜合金导体的制造方法有效
申请号: | 200610002114.5 | 申请日: | 2006-01-16 |
公开(公告)号: | CN1808632A | 公开(公告)日: | 2006-07-26 |
发明(设计)人: | 黑田洋光;黑木一真;青山正义;蛭田浩义 | 申请(专利权)人: | 日立电线株式会社 |
主分类号: | H01B1/02 | 分类号: | H01B1/02;C22C9/02;H01B5/02;H01B7/00;H01B13/00;C22C1/00 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人: | 钟晶 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供了高强度、高导电率的铜合金导体和用其制成的架空导线、电缆以及铜合金导体的制造方法。本发明的铜合金导体(18)是由在含有氧0.001~0.1重量%(10~1000重量ppm)的铜母材(11)中含有0.15~0.70重量%(不包括0.15重量%)Sn(12)的铜合金所构成,构成结晶组织的晶粒的平均粒径小于等于100μm,并且在结晶组织基体中弥散分布的Sn(12)的氧化物的80%或以上是平均粒径小于等于1μm的微小氧化物。 | ||
搜索关键词: | 铜合金 导体 及其 架空 导线 电缆 以及 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.铜合金导体,其特征在于,所述铜合金导体是由在含有氧0.001~0.1重量%(10~1000重量ppm)的铜母材中含有0.15~0.70重量%(不包括0.15重量%)Sn的铜合金构成,构成结晶组织的晶粒的平均粒径小于等于100μm,并且,在结晶组织的基体中弥散分布的Sn的氧化物的80%或以上是平均粒径小于等于1μm的微小氧化物。
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