[发明专利]发光二极管模组无效
申请号: | 200610001293.0 | 申请日: | 2006-01-12 |
公开(公告)号: | CN101000939A | 公开(公告)日: | 2007-07-18 |
发明(设计)人: | 孙国城 | 申请(专利权)人: | 亿光电子工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L25/075;H01L23/488;H01L23/28 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 台湾省台北县土*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种发光二极管模组,包括基材、发光二极管与封装层。在基材上方设有发光二极管与封装层,当基材与发光二极管结合后,再利用封装层将发光二极管覆盖固合于基材上,直接形成发光二极管模组。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 模组 | ||
【主权项】:
1.一种发光二极管模组,其特征在于包括:一基材,该基材上设有电路;一发光二极管,具有正负极,设于该基材上方,该发光二极管的正负极与该基材的电路电性连接;以及一封装层,附着于该基材上方,且将该封装层将该发光二极管覆盖。
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