[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

获得一种具有即使进行微细化处理，其漏电流小且工序劣化程度小的铁电电容器的半导体器件。所述半导体器件具有：半导体衬底，半导体元件，其形成在半导体衬底上，绝缘膜，其覆盖半导体元件，并形成在半导体衬底上方，下部绝缘性氢扩散防止膜，其形成在绝缘膜上方，并具有阻挡氢、水分的能力，导电紧贴膜，其形成在绝缘性氢扩散防止膜上方，铁电电容器，其具有下部电极、铁电膜及上部电极，其中，下部电极形成在导电紧贴膜上方，铁电膜形成在下部电极上且俯视观察时位于下部电极内，上部电极形成在铁电膜上且俯视时位于铁电膜内，而且，导电紧贴膜具有提高铁电电容器的下部电极的紧贴特性且降低铁电电容器的漏电流的功能。

主权项

1.一种半导体器件，其特征在于，具有：半导体衬底，半导体元件，其形成在所述半导体衬底上，绝缘膜，其覆盖所述半导体元件，并形成在所述半导体衬底的上方，下部绝缘性氢扩散防止膜，其形成在所述绝缘膜的上方，并具有阻挡氢、水分的能力，导电紧贴膜，其形成在所述绝缘性氢扩散防止膜的上方，铁电电容器，其具有下部电极、铁电膜及上部电极，其中，所述下部电极形成在所述导电紧贴膜上方，所述铁电膜形成在所述下部电极上，而且在俯视观察时位于所述下部电极内，所述上部电极形成在所述铁电膜上，而且在俯视观察时位于所述铁电膜内；而且，所述导电紧贴膜具有提高所述铁电电容器的下部电极的紧贴特性且降低所述铁电电容器的漏电流的功能。