[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200580051451.7 | 申请日： | 2005-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN101253621A | 公开（公告）日： | 2008-08-27 |
| 发明（设计）人： | 中村亘 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/8246 | 分类号： | H01L21/8246;H01L27/105 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张龙哺 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种能够提高电容器电介质膜的取向性的半导体器件及其制造方法。半导体器件的制造方法，包括：在硅衬底(1)上形成绝缘膜(15)的工序；在绝缘膜(15)上形成第一导电膜(21)的工序；在第一导电膜(21)上形成铝结晶层(20)的工序；在铝结晶层(20)上形成含有Pb(ZrxTi1－x)O3(其中，0≤x≤1)的铁电膜(22)的工序；通过对第一导电膜(21)、铁电膜(22)及第二导电膜(23)进行图案成形，形成电容器Q的工序，所述电容器Q是依次层叠下部电极(21a)、电容器电介质膜(22a)及上部电极(23a)而成的。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：在半导体衬底上形成绝缘膜的工序；在上述绝缘膜上形成第一导电膜的工序；在上述第一导电膜上形成铝结晶层的工序；在上述铝结晶层上形成含有Pb(ZrxTi1-x)O3的铁电膜的工序，其中，0≤x≤1；在上述铁电膜上形成第二导电膜的工序；通过对上述第一导电膜、上述铁电膜及上述第二导电膜进行图案成形，形成电容器的工序，其中，所述电容器是依次层叠下部电极、电容器电介质膜及上部电极而成的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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