[发明专利]铁电存储器件及其制造方法、半导体器件的制造方法

摘要

形成在铁电电容器的下部电极下方的自取向膜与其下方的导电性插头之间，形成厚度为10nm以下的薄氧化铝膜，并阻断导电性插头中的晶粒取向对所述自取向膜的影响，还在所述氧化铝膜上形成薄的氮化膜，从而避免发生如下的问题，即，自取向膜中的金属元素被氧化膜表面的氧捕获从而不显出初期的自取向性。

主权项

1.一种铁电存储器件，包括：半导体衬底，场效应晶体管，其形成在所述半导体衬底上，并包括第一及第二扩散区域，层间绝缘膜，其以覆盖所述场效应晶体管的方式形成在所述半导体衬底上，导电性插头，其形成在所述层间绝缘膜中，并与所述第一扩散区域接触，铁电电容器，其形成在所述层间绝缘膜上，并与所述导电性插头接触；其特征在于，所述铁电电容器由铁电膜、在上下方夹持铁电膜的上部电极以及下部电极构成，所述下部电极与所述导电性插头电连接，含有Al和氧的层夹在所述导电性插头和所述下部电极之间，含有氮的层夹在含有所述Al和氧的层和所述下部电极之间，自取向层夹在含有所述氮的层和所述下部电极之间，所述自取向层由具有自取向性的物质形成。