[发明专利]一种透反式液晶器件及其制备方法有效
| 申请号： | 200580049823.2 | 申请日： | 2005-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN101180569A | 公开（公告）日： | 2008-05-14 |
| 发明（设计）人： | 孟志国;王文;郭海成 | 申请（专利权）人： | 香港科技大学 |
| 主分类号： | G02F1/1343 | 分类号： | G02F1/1343;G02F1/1368;H01L21/336;G09F9/35 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 佟红岩;牛利民 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国香港;81 |
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| 摘要： | 本发明描述电极的构建用于液晶显示器，该显示器采用一种在可见光谱区显示吸收性低于20％的大晶粒低吸收多晶硅，本发明显示制备有源矩阵的衬底，薄膜晶体管的源极、漏极及沟道区和像素电极是相连地形成多硅单层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 反式 液晶 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种液晶显示器件，包含：a.第一衬底；b.第二衬底面对所述第一衬底布置，在其中间具有一个间隙；c.在该第一和第二衬底之间的间隙中间夹入液晶层；d.在所述第一衬底上形成部分搀杂的半导电多晶硅层，在其中形成象素电极和TFT的一部分；其中所述象素电极与所述薄膜晶体管(TFT)的所述部分进行电连接，并且其中所述多晶硅具有在可见光区域低于20％的平均光吸收率。
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