[发明专利]摄像装置有效
申请号: | 200580049317.3 | 申请日: | 2005-03-28 |
公开(公告)号: | CN101147260A | 公开(公告)日: | 2008-03-19 |
发明(设计)人: | 井上忠夫;山本克义;小林博 | 申请(专利权)人: | 富士通株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/335 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 张龙哺 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 在各像素中构成光电二极管的第一扩散区域,蓄积对应于入射光而产生的载流子。第二扩散区域通过覆盖第一扩散区域的外围部而形成于第一扩散区域的表面。第一扩散区域的周围部分因元件分离区域的制造工程和栅电极的制造工程而容易发生结晶缺陷,并容易产生暗电流噪声。第二扩散区域发挥防止在制造工程中发生结晶缺陷的保护层的功能。第二扩散区域并不形成于很难发生结晶缺陷的第一扩散区域表面的中央部分上。在没有形成第二扩散区域的第一扩散区域,由于可以增大空乏层的厚度,所以能够提高光的检测灵敏度。因此,能够在不增加暗电流噪声的情况下,提高光电二极管的检测灵敏度。 | ||
搜索关键词: | 摄像 装置 | ||
【主权项】:
1.一种摄像装置,其特征在于,具有多个像素,该多个像素分别具有光电二极管,每个所述像素具有:第一导电型的第一扩散区域,其在所述光电二极管构成光载流子蓄积部;传送晶体管,其将所述第一扩散区域作为源电极,并在与所述第一扩散区域相邻的位置,中间夹着绝缘膜而形成有栅电极,而且将蓄积在所述光电二极管中的光载流子传送到漏电极;第二导电型的第二扩散区域,其覆盖所述第一扩散区域的外围部而形成在所述第一扩散区域的表面,并具有与第一导电型相反的极性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的