[发明专利]修整通过组装两晶片构成的结构的方法有效
| 申请号： | 200580044108.X | 申请日： | 2005-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN101084577A | 公开（公告）日： | 2007-12-05 |
| 发明（设计）人： | M·朱西;B·阿斯帕尔;C·拉加赫－布朗夏尔;H·莫里索 | 申请（专利权）人： | 特拉希特技术公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 蔡洪贵 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 一种对通过利用接触面将第一晶片接合到第二晶片上并使第一晶片变薄而获得的结构进行修整的方法，其中，至少第一晶片或第二晶片被倒角，并因此暴露第一晶片的接触面的边缘，其中，修整涉及第一晶片，其特征在于，该方法包括以下步骤：a)从这些晶片中选择第二晶片，其具有对于计划在步骤b)中进行的化学蚀刻的耐受性以允许进行步骤b)，步骤b)中进行的化学蚀刻对于第一晶片是足够的；b)在将第一晶片接合到第二晶片上之后，对第一晶片的边缘进行化学蚀刻以便在第一晶片中形成完全支靠在第二晶片的接触面上并支承第一晶片的剩余部分的支座；c)使第一晶片变薄直至到达并侵犯支座，从而提供第一晶片的薄部。 | ||
| 搜索关键词： | 修整 通过 组装 晶片 构成 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种对通过利用接触面将第一晶片(11，21，31，41)接合到第二晶片(12，22，32，42)上并使第一晶片变薄而获得的结构进行修整的方法，其中，至少第一晶片或第二晶片被倒角，并因此暴露第一晶片的接触面的边缘，其中，修整涉及第一晶片，其特征在于，该方法包括以下步骤：a)从这些晶片中选择第二晶片(12，22，32，42)，其具有对于计划在步骤b)中进行的化学蚀刻的耐受性以允许进行步骤b)，步骤b)中进行的化学蚀刻对于第一晶片(11，21，31，41)是足够的；b)在将第一晶片接合到第二晶片上之后，对第一晶片的边缘进行化学蚀刻以便在第一晶片中形成完全支靠在第二晶片的接触面上并支承第一晶片的剩余部分的支座；c)使第一晶片变薄直至到达并影响支座，从而提供第一晶片的薄部(17，29，39)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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