[发明专利]修整通过组装两晶片构成的结构的方法

权利要求书

1.一种对通过利用接触面将第一晶片(11，21，31，41)接合到第二晶片(12，22，32，42)上并使第一晶片变薄而获得的结构进行修整的方法，其中，至少第一晶片或第二晶片被倒角，并因此暴露第一晶片的接触面的边缘，其中，修整涉及第一晶片，其特征在于，该方法包括以下步骤：

a)选择对于计划在步骤b)中进行的足以蚀刻第一晶片的化学蚀刻具有耐受性的晶片作为第二晶片(12，22，32，42)，以允许进行步骤b)；

b)在将第一晶片接合到第二晶片上之后，对第一晶片的边缘进行化学蚀刻以便在第一晶片中形成完全支靠在第二晶片的接触面上并支承第一晶片的剩余部分的支座；

c)使第一晶片变薄直至到达支座，从而提供第一晶片的薄部(17，29，39)。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，选择步骤包括：选择晶片表面是由与第一晶片的表面不同的材料制成的晶片作为第二晶片，这种选择允许相对于第二晶片对第一晶片进行选择性的化学蚀刻。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，第一晶片至少其表面由硅制成，第二晶片选自石英、SiC、或蓝宝石。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该选择步骤包括选择带有形成阻止所述化学蚀刻的装置的至少一个材料层(14，26)覆盖全部外表面的晶片(12，22，32，42)作为第二晶片。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，第一晶片和第二晶片由硅制成，其中，形成阻止装置的材料层是SiO₂层或Si₃N₄层。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，第一晶片(21，31，41)的接触面具有保护其免受用于形成支座的化学蚀刻的保护层(24，34，44)，其中，该保护层被设置在防止形成支座的位置。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述保护层(24，34，44)是初始覆盖第一晶片(21，31，41)表面的层，其中所述方法包括：在形成支座的化学蚀刻之前，保护层的可够及部分的化学蚀刻。

8.根据权利要求4或7的方法，其特征在于，在第二晶片上覆盖全部外表面的、用于阻止所述化学蚀刻的装置的至少一个材料层和第一晶片的保护层是相同的，其中，第二晶片上的所述层比第一晶片上的保护层厚。

9.根据权利要求4或7的方法，其特征在于，在第二晶片上覆盖全部外表面的、用于阻止所述化学蚀刻的装置的至少一个材料层和第一晶片的保护层是不同的，其中，第二晶片上的所述层在步骤b)中被蚀刻得比第一晶片上的保护层慢。

10.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，第一晶片(11，21，31，41)通过分子粘合技术被接合到第二晶片(12，22，32，42)上。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，第一晶片(31)和第二晶片(32)之间的接合能被考虑以获得在接触面处第一晶片的横向化学蚀刻的确定宽度。

12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，第一晶片通过胶层被接合到第二晶片上。

13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述胶层被用作阻止化学蚀刻的装置。

14.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，第一晶片(41)具有保护其免受用于形成支座的化学蚀刻的保护层(44)，因此，所述方法包括：在形成支座的化学蚀刻之前，用于消除保护层上位于将来支座水平位置处的部分的化学蚀刻。

15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，由于第二晶片(42)也具有保护其免受用于形成支座的化学蚀刻的保护层(46)，消除第一晶片的保护层的所述化学蚀刻也消除了第二晶片的保护层上处于将来支座的水平位置处的部分，从而在第二晶片中增加支座的延伸。

16.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，使第一晶片变薄通过机加工和/或化学蚀刻和/或剥离和/或干蚀刻装置和/或第一晶片的被埋入易碎区域的破碎来实现。

17.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在变薄步骤之后还包括抛光步骤。