[发明专利]形成介电膜的方法和利用该方法在半导体器件中形成电容器的方法无效
| 申请号： | 200580043985.5 | 申请日： | 2005-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN101084579A | 公开（公告）日： | 2007-12-05 |
| 发明（设计）人： | 吉德信;洪权;廉胜振 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾晋伟;刘继富 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种在半导体器件中形成介电膜的方法，其中所述方法可以改善介电特性和漏电流特性。依照本发明的具体实施方案，形成介电膜的方法包括：在晶片上形成预定厚度的二氧化锆(ZrO2)层，该厚度不允许形成的ZrO2层连续；在没有形成ZrO2层的晶片部分上形成预定厚度的氧化铝(Al2O3)层，该厚度不允许形成的Al2O3层连续。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 介电膜 方法 利用 半导体器件 电容器 | ||
【主权项】：
1.一种形成介电膜的方法，包括：在晶片上形成预定厚度的二氧化锆(ZrO2)层，所述厚度不允许形成的ZrO2层连续；在没有形成所述ZrO2层的晶片部分上形成预定厚度的氧化铝(Al2O3)层，所述厚度不允许形成的Al2O3层连续。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于海力士半导体有限公司，未经海力士半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200580043985.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
