[发明专利]用于消除来自化学蒸汽刻蚀腔的副产品沉积的原位腔清洁制程有效
| 申请号： | 200580043491.7 | 申请日： | 2005-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN101437981A | 公开（公告）日： | 2009-05-20 |
| 发明（设计）人： | 高勤台;仇金培;塞法道·P·乌莫吐伊;张梅;袁晓雄;张宇;卢欣亮;潘希恩;威廉·邝;初国川;戴维·T·沃 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/00 | 分类号： | C23F1/00;H01L21/306 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陆 嘉 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于清洁处理反应室的方法与设备，此方法包含阻挡冷却流体流入位于处理反应室内的支持构件的通道中；升高支持构件至距离气体分配盘约0.1英寸以内；加热气体分配盘；以及导入热传导气体通过气体分配盘而进入处理反应室中。在一个态样中，反应室包含反应室主体与支持组件，此支持组件至少部分设置在反应室主体内且用于支撑基板于其上。反应室另包含盖组件，其设置在反应室主体的上表面。盖组件包含顶板与气体输送组件，此二者在其间定义出等离子体腔室，其中此气体输送组件是用以加热基板。具有U型等离子体区域的远程等离子体源是连接至此气体输送组件上。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 消除 来自 化学 蒸汽 刻蚀 副产品 沉积 原位 清洁 | ||
【主权项】：
1. 一种用以处理一基板的处理反应室，包含：一反应室主体，定义一制程区域；一支持组件，至少部分设置在该反应室主体内，且用以支撑在该制程区域内的该基板；以及一等离子体源，其具有一柱状电极(cylindrical electrode)以及一接地电极，该等电极定义出与该制程区域连通的一等离子体区域。
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