[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

使晶体管TrA中每个侧壁(105)的厚度薄于晶体管TrB中每个侧壁(105)的厚度。在晶体管TrA中，当从衬底的主表面方向来看时，高浓度杂质扩散层(106)的表面和侧壁(105)的底部部分处在重叠的位置。硅化物层(108)仅仅形成在高浓度杂质扩散层(106)中。通过在形成覆盖晶体管TrB的CVD氧化物膜(111)之后并且在形成硅化物层(108)之前在晶体管TrA中形成高浓度杂质扩散层(106)可以实现这种限制性的形成。通过这种方式，通过简单的结构可以改善截止－泄露特性，并且可以在同一衬底上同时形成硅化物晶体管和非硅化物晶体管。

主权项

1、一种半导体器件，包括其上形成有硅化物层的第一晶体管和其上没有形成硅化物层的第二晶体管，其中，该第一晶体管和该第二晶体管中的每一个包括：形成在半导体衬底的主表面上的栅极绝缘膜上的栅电极；形成在该栅电极的两个侧面壁上的侧壁；以及形成在所述半导体衬底的所述主表面中的源极扩散层和漏极扩散层，并且在所述第一晶体管中，每个所述侧壁的厚度薄于所述第二晶体管的每个所述侧壁的厚度，所述源极扩散层和所述漏极扩散层中的每一个具有低浓度杂质扩散层和高浓度杂质扩散层，该高浓度杂质扩散层形成在该低浓度杂质扩散层的内部，并具有高于该低浓度杂质扩散层的杂质浓度的杂质浓度，当从所述半导体衬底的主表面方向观察时，所述高浓度杂质扩散层的表面和每个所述侧壁的底部处在彼此重叠的位置，并且仅在所述高浓度杂质扩散层中形成所述硅化物层。