[发明专利]非易失纳米晶体存储器及其方法无效
| 申请号： | 200580040962.9 | 申请日： | 2005-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN101438392A | 公开（公告）日： | 2009-05-20 |
| 发明（设计）人： | 拉杰什·A·拉奥;拉马钱德兰·穆拉利德哈;布鲁斯·E·怀特 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏;黄启行 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种纳米晶体非易失存储器(NVM)(10)具有控制栅极(26)和纳米晶体(16)之间的介质(22)，其具有足以减少介质(22)中能够俘获电子的位置的氮含量。这是通过使氮浓度逐渐变化实现的。氮浓度在纳米晶体(16)附近最高，其中电子/空穴陷阱的浓度趋向于最高，并且朝向控制栅极(26)减小，在控制栅极处电子/空穴陷阱的浓度较低。这已被发现具有减少可俘获电荷的位置数目的有利作用。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失 纳米 晶体 存储器 及其 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种用于形成半导体器件的方法，包括：提供半导体基板；在半导体基板的表面上形成第一绝缘层；在第一绝缘层的表面上形成纳米晶体层；并且在纳米晶体层上面形成具有逐渐变化的氮含量的第二绝缘层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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