[发明专利]自旋电流可切换磁存储器元件以及制造存储器元件的方法有效
申请号: | 200580039556.0 | 申请日: | 2005-08-12 |
公开(公告)号: | CN101076865A | 公开(公告)日: | 2007-11-21 |
发明(设计)人: | J·Z·孙;S·S·P·帕金 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | G11C11/16 | 分类号: | G11C11/16 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 于静;杨晓光 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种自旋电流可切换磁存储器元件(以及制造存储器元件的方法)包括:具有垂直磁各向异性分量的多个磁性层,所述多个磁性层中的至少一个包括稀土金属与过渡金属的合金;以及与所述多个磁性层中的至少一个邻接地形成的至少一个势垒层。 | ||
搜索关键词: | 自旋 电流 切换 磁存储器 元件 以及 制造 存储器 方法 | ||
【主权项】:
1.一种自旋电流可切换磁存储器元件,包括:具有垂直磁各向异性分量的多个磁性层,所述多个磁性层中的至少一个包括稀土金属与过渡金属的合金;以及与所述多个磁性层中的至少一个邻接地形成的至少一个势垒层。
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