[发明专利]制造具有介电层表面处理的电子器件的方法无效
| 申请号： | 200580039067.5 | 申请日： | 2005-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN101057346A | 公开（公告）日： | 2007-10-17 |
| 发明（设计）人： | 蒂莫西·D·邓巴;托米·W·凯利 | 申请（专利权）人： | 3M创新有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/00 | 分类号： | H01L51/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 郇春艳;郭国清 |
| 地址： | 美国明*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种制造电子器件的方法，所述方法为：(a)使用选自(i)等离子体聚合含单体的前体和(ii)从包括一种或多种单体共聚单元的聚合物的靶进行溅射的等离子体基沉积技术，在介电层上沉积基本上非氟化的聚合物层，所述单体选自芳族单体、基本上为烃的单体和其组合；以及(b)沉积与所述聚合物层相邻的有机半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 具有 介电层 表面 处理 电子器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造有机电子器件的方法，所述方法包括：(a)使用选自(i)等离子体聚合含单体的前体和(ii)从包括一种或多种单体的共聚单元的聚合物的靶进行溅射的等离子体基沉积技术，在介电层上沉积基本上非氟化的聚合物层，所述单体选自芳族单体、基本上为烃的单体和其组合；以及(b)沉积与所述聚合物层相邻的有机半导体层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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