[发明专利]低温聚硅TFT用的多层高质量栅介电层

摘要

一种利用高密度等离子氧化(HDPO)制造工艺以在MOS TFT组件中形成高质量栅极介电层的方法与设备。在实施例中，HDPO层形成在通道、源极与漏极区域上以形成介电界面，以及一层或多层介电层被沉积在HDPO层上以形成高质量栅极介电层。HDPO制造工艺通常利用感应耦合以及/或电容耦合射频(RF)发射组件以产生与控制生成在基板上的等离子，并注入含氧化源之气体以长成界面层。第二介电层可以利用化学气相沉积(CVD)或等离子增强型CVD(PECVD)沉积制造工艺而沉积在基板表面上。本发明亦提供一种群集工具(cluster tool)，其包含至少一种能够沉积高质量栅极介电层之特制化等离子处理反应室。

主权项

1.一种用于等离子处理基板的反应室，包含：一个或多个反应室壁，其定义出等离子处理区域；基板支持件，安置在该等离子处理区域中以及用以支撑该基板在多个垂直分隔的等离子处理位置上；RF发射组件，装设以传送RF能量至该等离子处理区域；RF功率源，连接至该RF发射组件；以及氧化气体源，与该等离子处理区域连通。