[发明专利]低温聚硅TFT用的多层高质量栅介电层

权利要求书

1.一种用于等离子处理基板的反应室，包含：

一个或多个反应室壁，其定义出等离子处理区域；

基板支持件，安置在所述等离子处理区域中以及用以支撑所述基板在 多个垂直分隔的等离子处理位置上；

第一RF发射组件，装设于所述等离子处理区域之上以传送RF能量 至所述等离子处理区域；

第二RF发射组件，装设并安置于所述等离子处理区域外围以传送RF 能量至所述等离子处理区域；

第一RF功率源，连接至所述第一RF发射组件；

第二RF功率源，连接至第二RF发射组件；以及

氧化气体源，与所述等离子处理区域连通。

2.根据权利要求1所述的反应室，其特征在于所述第一RF发射组件 为电容耦合RF能量发射组件，第二RF发射组件为感应耦合RF能量发射 组件。

3.根据权利要求1所述的反应室，其特征在于所述第一RF发射组件 为电容耦合RF能量发射组件，以及与所述等离子处理区域接触的接地表 面的表面积和接触所述等离子处理区域之所述RF发射组件的所述表面积 的比率介于约1：1至约2：1的范围内。

4.根据权利要求1所述的反应室，其特征在于还包含：

控制器，连接至所述第一RF功率源、第二RF功率源以及所述氧化 气体源，其中所述控制器用以控制输送至所述第一RF发射组件的RF能 量，以及控制由所述氧化气体源输送至所述等离子处理区域的气体。

5.根据权利要求4所述的反应室，其特征在于还包含：

内存，连接至所述控制器，所述内存包含具有内建计算机可读程序的 计算机可读媒介，以指示所述等离子处理反应室之操作，所述计算机可读 程序包含：

多个计算机指令，用以控制所述等离子处理反应室做：

(1)开始处理；

(2)移动所述基板支持件至第一等离子处理位置；

(3)利用来自所述气体源的第一气体以第一RF功率来处理所述基板；

(4)经过一段使用者定义的时间后，停止等离子处理；

(5)移动所述基板支持件至第二等离子处理位置；

(6)利用来自所述气体源之第二气体以第二RF功率来处理所述基板； 以及

(7)经过一段使用者定义的时间后，停止等离子处理。

6.一种用于等离子处理基板的反应室，包含：

一个或多个反应室壁，定义出等离子处理区域；

基板支持件，安置在所述等离子处理区域中并用以支撑所述基板在多 个垂直分隔的等离子处理位置上，所述多个垂直分隔的等离子处理位置包 括第一等离子处理位置和第二等离子处理位置；

第一RF发射组件，装设于所述等离子处理区域之上以传送RF能量 至所述等离子处理区域；

第一RF功率源，连接至所述第一RF发射组件上；

第二RF发射组件，装设并安置于等离子处理区域外围以传送RF能 量至所述等离子处理区域；

第二RF功率源，连接至所述第二RF发射组件上；

氧化气体源，与所述等离子处理区域连接；以及

控制器，连接至所述第一RF功率源、所述第二RF功率源以及所述 氧化气体源上，其中所述控制器用以控制输送至所述第一RF发射组件的 RF功率、输送至所述第二RF发射组件的RF功率，以及控制由所述氧化 气体源输送至所述等离子处理区域的气体。

7.根据权利要求6所述的反应室，其特征在于还包含：

第三RF功率源，连接至所述基板支持件；

其中所述控制器连接至所述第一RF功率源、所述第二RF功率源、 所述第三RF功率源以及所述气体源上，其中所述控制器用以控制输送至 所述第一RF发射组件的RF功率、输送至所述第二RF发射组件的RF功 率、输送至所述基板支持件的RF功率以及从所述氧化气体源输送至所述 等离子处理区域的气体。