[发明专利]绝缘栅极半导体器件及其生产方法有效
| 申请号： | 200580036986.7 | 申请日： | 2005-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN101048874A | 公开（公告）日： | 2007-10-03 |
| 发明（设计）人： | 高谷秀史;滨田公守;宫城恭辅;大仓康嗣;黑柳晃;户仓规仁 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/739;H01L21/336;H01L21/331;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 柳春雷 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种获得高击穿电压和紧凑性的绝缘栅极型半导体器件及其生产方法。半导体器件(100)具有形成在单元区域中的多个栅极沟槽(21)和P浮置区域(51)，并且具有形成在接线区域中的多个接线沟槽(62)和P浮置沟槽(53)。另外，三个接线沟槽(62)(接线沟槽621、622、623)中的接线沟槽(62)具有类似于栅极沟槽(21)的结构，并且其它接线沟槽填充有诸如氧化硅的绝缘物质。另外，P浮置区域(51)是从栅极沟槽(21)的底表面注入杂质而形成的区域，并且P浮置区域(53)是从接线沟槽(62)的底表面注入杂质而形成的区域。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 栅极 半导体器件 及其 生产 方法 | ||
【主权项】：
1.一种绝缘栅极型半导体器件，包括：体区域，位于半导体衬底内的上表面上并且是第一导电型半导体；以及漂移区域，与所述体区域的下方接触并且是第二导电型半导体；所述绝缘栅极型半导体器件包括：第一沟槽部分组，沿所述半导体衬底的厚度方向穿过所述体区域，所述第一沟槽部分组位于单元区域中并且内部包含栅电极；第一浮置区域，由所述漂移区域所包围，并且围绕所述第一沟槽部分组中的至少一个沟槽部分的底部，所述第一浮置区域为所述第一导电型半导体；第二沟槽部分组，沿所述半导体衬底的所述厚度方向穿过所述体区域，所述第二沟槽部分组位于围绕所述单元区域的接线区域中，并且形成为环形使得从上方观察时围绕所述单元区域；以及第二浮置区域，由所述漂移区域所包围，并且围绕所述第二沟槽部分组中的至少一个沟槽部分的底部，所述第二浮置区域为所述第一导电型半导体；其中栅电极被内部包含在所述第二沟槽部分组中的至少位于最内部的沟槽部分中。
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