[发明专利]带有隐埋耗尽层的有源光敏结构

摘要

一种成像器像素具有光敏JFET结构，该结构的沟道区位于隐埋的电荷累积区上方。该沟道区具有依赖于累积区中所累积的电荷电平而变化的电阻特性。在积分期期间，入射光使电子累积在隐埋的累积区内部。沟道区的电阻特性响应于累积在累积区中的电荷形成的场而变化。因而，当电压施加到沟道的一侧时，从另一侧读出的电流表征了存储的电荷量。

主权项

1.一种JFET光传感器，包括：在衬底中形成的累积区，所述累积区用于累积响应射到所述区的光而产生的电荷；以及位于所述衬底中并与所述累积区相关联的沟道区，所述沟道区具有响应累积在所述累积区中的电荷而变化的电阻。